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codice articolo del costruttore | IHSM5832ER1R58L |
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Numero di parte futuro | FT-IHSM5832ER1R58L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER1R58L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.8µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 8.6A |
Corrente - Saturazione | 4.4A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 13 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.285" (7.24mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER1R58L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHSM5832ER1R58L-FT |
744032001
Wurth Electronics Inc.
7440320015
Wurth Electronics Inc.
7440320018
Wurth Electronics Inc.
744032002
Wurth Electronics Inc.
7440320027
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744032008
Wurth Electronics Inc.
744032100
Wurth Electronics Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation