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codice articolo del costruttore | IHSM5832ER122L |
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Numero di parte futuro | FT-IHSM5832ER122L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER122L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.2mH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 320mA |
Corrente - Saturazione | 190mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5.51 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.285" (7.24mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER122L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHSM5832ER122L-FT |
744032101
Wurth Electronics Inc.
744032120
Wurth Electronics Inc.
744032220
Wurth Electronics Inc.
744032001
Wurth Electronics Inc.
7440320015
Wurth Electronics Inc.
7440320018
Wurth Electronics Inc.
744032002
Wurth Electronics Inc.
7440320027
Wurth Electronics Inc.
7440320039
Wurth Electronics Inc.
744032004
Wurth Electronics Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel