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codice articolo del costruttore | IHSM5832ER122L |
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Numero di parte futuro | FT-IHSM5832ER122L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER122L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.2mH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 320mA |
Corrente - Saturazione | 190mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5.51 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.285" (7.24mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER122L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHSM5832ER122L-FT |
744032101
Wurth Electronics Inc.
744032120
Wurth Electronics Inc.
744032220
Wurth Electronics Inc.
744032001
Wurth Electronics Inc.
7440320015
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744032004
Wurth Electronics Inc.
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
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Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel