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codice articolo del costruttore | IHSM5832ER120L |
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Numero di parte futuro | FT-IHSM5832ER120L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER120L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 12µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 3.9A |
Corrente - Saturazione | 1.7A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 68 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.285" (7.24mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER120L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHSM5832ER120L-FT |
744032006
Wurth Electronics Inc.
744032101
Wurth Electronics Inc.
744032120
Wurth Electronics Inc.
744032220
Wurth Electronics Inc.
744032001
Wurth Electronics Inc.
7440320015
Wurth Electronics Inc.
7440320018
Wurth Electronics Inc.
744032002
Wurth Electronics Inc.
7440320027
Wurth Electronics Inc.
7440320039
Wurth Electronics Inc.
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation