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codice articolo del costruttore | IHSM3825ER1R2L |
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Numero di parte futuro | FT-IHSM3825ER1R2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-3825 |
IHSM3825ER1R2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 4.93A |
Corrente - Saturazione | 4.11A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 16 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.440" L x 0.250" W (11.18mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.225" (5.72mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM3825ER1R2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHSM3825ER1R2L-FT |
74479775147A
Wurth Electronics Inc.
74479774147
Wurth Electronics Inc.
74479774210
Wurth Electronics Inc.
74479774215
Wurth Electronics Inc.
74479774222
Wurth Electronics Inc.
74479775233
Wurth Electronics Inc.
74479773133
Wurth Electronics Inc.
74479773147
Wurth Electronics Inc.
74479773154
Wurth Electronics Inc.
74479773210
Wurth Electronics Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel