casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IHLP6767GZER2R2M51
codice articolo del costruttore | IHLP6767GZER2R2M51 |
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Numero di parte futuro | FT-IHLP6767GZER2R2M51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHLP-6767GZ-51 |
IHLP6767GZER2R2M51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 38.5A |
Corrente - Saturazione | 38A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.41 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 19.8MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.276" (7.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP6767GZER2R2M51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHLP6767GZER2R2M51-FT |
IMC1210SYR56J
Vishay Dale
IMC1210SYR56K
Vishay Dale
IMC1210SYR56M
Vishay Dale
IMC1210SYR68J
Vishay Dale
IMC1210SYR68K
Vishay Dale
IMC1210SYR68M
Vishay Dale
IMC1210SYR82J
Vishay Dale
IMC1210SYR82K
Vishay Dale
IMC1210SYR82M
Vishay Dale
IMC1210SZR10K
Vishay Dale
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel