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codice articolo del costruttore | IHD3EB470L |
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Numero di parte futuro | FT-IHD3EB470L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHD |
IHD3EB470L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 4A |
Corrente - Saturazione | 2.5A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 34 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.460" Dia x 0.900" L (11.68mm x 22.86mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD3EB470L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHD3EB470L-FT |
IHLP1212ABERR22M11
Vishay Dale
IHLP1212ABERR33M11
Vishay Dale
IHLP1212ABERR47M11
Vishay Dale
IHLP1212ABERR56M11
Vishay Dale
IHLP1212ABERR68M11
Vishay Dale
IHLP1212AEER1R5M11
Vishay Dale
IHLP1212AEERR33M11
Vishay Dale
IHLP1212AEERR56M11
Vishay Dale
IHLP1212AEERR68M11
Vishay Dale
IHLP1212AEERR82M11
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel