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codice articolo del costruttore | IHD1ER562L |
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Numero di parte futuro | FT-IHD1ER562L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHD |
IHD1ER562L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 5.6mH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 150mA |
Corrente - Saturazione | 100mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 11.2 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.270" Dia x 0.700" L (6.85mm x 17.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1ER562L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHD1ER562L-FT |
IHD3EB563L
Vishay Dale
IHD3EB681L
Vishay Dale
IHD3EB682L
Vishay Dale
IHD3EB683L
Vishay Dale
IHD3EB821L
Vishay Dale
IHD3EB822L
Vishay Dale
IHD3EB823L
Vishay Dale
IHD3ER102L
Vishay Dale
IHD3ER104L
Vishay Dale
IHD3ER152L
Vishay Dale
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel