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codice articolo del costruttore | IHD1ER102L |
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Numero di parte futuro | FT-IHD1ER102L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHD |
IHD1ER102L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 330mA |
Corrente - Saturazione | 230mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.3 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.270" Dia x 0.700" L (6.85mm x 17.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1ER102L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHD1ER102L-FT |
IHD3EB271L
Vishay Dale
IHD3EB272L
Vishay Dale
IHD3EB273L
Vishay Dale
IHD3EB332L
Vishay Dale
IHD3EB333L
Vishay Dale
IHD3EB391L
Vishay Dale
IHD3EB392L
Vishay Dale
IHD3EB393L
Vishay Dale
IHD3EB471L
Vishay Dale
IHD3EB473L
Vishay Dale
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel