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codice articolo del costruttore | IHD1EB822L |
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Numero di parte futuro | FT-IHD1EB822L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHD |
IHD1EB822L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 8.2mH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 110mA |
Corrente - Saturazione | 80mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 20.8 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.270" Dia x 0.700" L (6.86mm x 17.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1EB822L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHD1EB822L-FT |
IHD3EB222L
Vishay Dale
IHD3EB271L
Vishay Dale
IHD3EB272L
Vishay Dale
IHD3EB273L
Vishay Dale
IHD3EB332L
Vishay Dale
IHD3EB333L
Vishay Dale
IHD3EB391L
Vishay Dale
IHD3EB392L
Vishay Dale
IHD3EB393L
Vishay Dale
IHD3EB471L
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel