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codice articolo del costruttore | IHD1EB820L |
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Numero di parte futuro | FT-IHD1EB820L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHD |
IHD1EB820L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 82µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 1.3A |
Corrente - Saturazione | 800mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 152 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.270" Dia x 0.700" L (6.86mm x 17.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1EB820L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHD1EB820L-FT |
IHD3EB223L
Vishay Dale
IHD3EB100L
Vishay Dale
IHD3EB101L
Vishay Dale
IHD3EB120L
Vishay Dale
IHD3EB121L
Vishay Dale
IHD3EB150L
Vishay Dale
IHD3EB151L
Vishay Dale
IHD3EB180L
Vishay Dale
IHD3EB181L
Vishay Dale
IHD3EB220L
Vishay Dale
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel