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codice articolo del costruttore | IHD1EB100L |
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Numero di parte futuro | FT-IHD1EB100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHD |
IHD1EB100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 2.8A |
Corrente - Saturazione | 2.3A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 33 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.270" Dia x 0.700" L (6.86mm x 17.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1EB100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHD1EB100L-FT |
IHD3EB821L
Vishay Dale
IHD3EB822L
Vishay Dale
IHD3EB823L
Vishay Dale
IHD3ER102L
Vishay Dale
IHD3ER104L
Vishay Dale
IHD3ER152L
Vishay Dale
IHD3ER183L
Vishay Dale
IHD3ER271L
Vishay Dale
IHD3ER331L
Vishay Dale
IHD3ER332L
Vishay Dale
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel