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codice articolo del costruttore | IHB6BV181K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB6BV181K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB6BV181K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 180µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 12.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 25 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 2.000" Dia (50.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.500" (38.10mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6BV181K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB6BV181K-FT |
IHB4BV120K
Vishay Dale
IHB4BV121K
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IHB4BV122K
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IHB4BV123K
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IHB4BV150K
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IHB4BV180K
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IHB4BV181K
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IHB4BV182K
Vishay Dale
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel