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codice articolo del costruttore | IHB6BV180K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB6BV180K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB6BV180K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 18µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 27.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 2.000" Dia (50.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.500" (38.10mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6BV180K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB6BV180K-FT |
IHB4BV103K
Vishay Dale
IHB4BV120K
Vishay Dale
IHB4BV121K
Vishay Dale
IHB4BV122K
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IHB4BV153K
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IHB4BV180K
Vishay Dale
IHB4BV181K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation