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codice articolo del costruttore | IHB3EB8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3EB8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3EB8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 17.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3EB8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3EB8R2M-FT |
IHB2BV560K
Vishay Dale
IHB2BV561K
Vishay Dale
IHB2BV5R6M
Vishay Dale
IHB2BV680K
Vishay Dale
IHB2BV681K
Vishay Dale
IHB2BV820K
Vishay Dale
IHB2BV821K
Vishay Dale
IHB2BV8R2M
Vishay Dale
IHB2EB100K
Vishay Dale
IHB2EB101K
Vishay Dale
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel