casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IHB3EB820K
codice articolo del costruttore | IHB3EB820K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3EB820K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3EB820K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 82µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 6.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 32 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3EB820K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3EB820K-FT |
IHB2BV4R7M
Vishay Dale
IHB2BV560K
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IHB2BV561K
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Intel
5SGXEB5R2F40I3LN
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EP4CE22E22C6
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5SGXMBBR2H43C2LN
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A42MX16-TQ176I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
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LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
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EP3C120F780I7N
Intel