casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IGW30N60TFKSA1
codice articolo del costruttore | IGW30N60TFKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IGW30N60TFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchStop® |
IGW30N60TFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 187W |
Cambiare energia | 1.46mJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 167nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/254ns |
Condizione di test | 400V, 30A, 10.6 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGW30N60TFKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IGW30N60TFKSA1-FT |
IRG4BC40KPBF
Infineon Technologies
IRG4BC40U
Infineon Technologies
IRG4BC40W
Infineon Technologies
IRG6B330UDPBF
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IRG6I320UPBF
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IRG6I330U-110P
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IRG6I330U-111P
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IRG6I330U-168P
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IRG8B08N120KDPBF
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IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-PQG208M
Microsemi Corporation
5SGSMD8K1F40C2N
Intel
EP4CGX30BF14I7N
Intel
XC6SLX4-L1CSG225I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5
Intel