casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IGW30N60H3FKSA1
codice articolo del costruttore | IGW30N60H3FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IGW30N60H3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchStop® |
IGW30N60H3FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 187W |
Cambiare energia | 1.38mJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 165nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 21ns/207ns |
Condizione di test | 400V, 30A, 10.5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGW30N60H3FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IGW30N60H3FKSA1-FT |
IRG4BC20WPBF
Infineon Technologies
IRG4BC30F
Infineon Technologies
IRG4BC30FD1
Infineon Technologies
IRG4BC30FD1PBF
Infineon Technologies
IRG4BC30FPBF
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IRG4BC30K
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IRG4BC30KPBF
Infineon Technologies
IRG4BC30S
Infineon Technologies
IRG4BC30U
Infineon Technologies
IRG4BC30W
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
XC5VLX30-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1HG
Intel