casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IGW03N120H2FKSA1
codice articolo del costruttore | IGW03N120H2FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IGW03N120H2FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IGW03N120H2FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 9.6A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 9.9A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
Potenza - Max | 62.5W |
Cambiare energia | 290µJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 22nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 9.2ns/281ns |
Condizione di test | 800V, 3A, 82 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGW03N120H2FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IGW03N120H2FKSA1-FT |
IRG4BC40U
Infineon Technologies
IRG4BC40W
Infineon Technologies
IRG6B330UDPBF
Infineon Technologies
IRG6I320UPBF
Infineon Technologies
IRG6I330U-110P
Infineon Technologies
IRG6I330U-111P
Infineon Technologies
IRG6I330U-168P
Infineon Technologies
IRG8B08N120KDPBF
Infineon Technologies
IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies
IRGB30B60K
Infineon Technologies
XA3S250E-4PQG208Q
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA484C
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
5SGXEB5R3F40I3N
Intel
EP4CE15E22C9LN
Intel
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
APA075-TQ100A
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35C4N
Intel