casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71V65802S150BG
codice articolo del costruttore | IDT71V65802S150BG |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71V65802S150BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V65802S150BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous ZBT |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | 150MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.8ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V65802S150BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71V65802S150BG-FT |
IDT71V25761YSA166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA183BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA183BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA183BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA183BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA200BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V25761YSA200BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3556S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel