casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71V416YL12PHI

| codice articolo del costruttore | IDT71V416YL12PHI |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IDT71V416YL12PHI |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| IDT71V416YL12PHI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
| Tempo di accesso | 12ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IDT71V416YL12PHI Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IDT71V416YL12PHI-FT |

RMLV1616AGSD-5S2#AC0
Renesas Electronics America

R1LV0816ASD-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV1616RSD-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV1616RSD-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV1616RSD-7SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV1616RSD-7SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV3216RSD-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV3216RSD-7SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV3216RSD-7SI#S0
Renesas Electronics America

R1WV6416RSD-5SI#B0
Renesas Electronics America

LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation

XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.

A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation

ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation

5SGSED8N1F45C2LN
Intel

A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation

LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S20F780C5N
Intel

5SGXEA3H3F35C2LN
Intel