casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT70P3337S250RM
codice articolo del costruttore | IDT70P3337S250RM |
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Numero di parte futuro | FT-IDT70P3337S250RM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT70P3337S250RM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 6.3ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 576-BBGA, FCBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 576-FCBGA (25x25) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT70P3337S250RM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT70P3337S250RM-FT |
7142LA100P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA35P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA55P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA100P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55P
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA12PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel