casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT70P3337S250RM
codice articolo del costruttore | IDT70P3337S250RM |
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Numero di parte futuro | FT-IDT70P3337S250RM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT70P3337S250RM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 6.3ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 576-BBGA, FCBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 576-FCBGA (25x25) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT70P3337S250RM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT70P3337S250RM-FT |
7142LA100P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA35P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA55P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA100P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35P
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55P
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA12PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
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Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel