casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDP04E120
codice articolo del costruttore | IDP04E120 |
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Numero di parte futuro | FT-IDP04E120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDP04E120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 11.2A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.15V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 115ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDP04E120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDP04E120-FT |
BAT5402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
IDD06E60BUMA1
Infineon Technologies
IDD03E60BUMA1
Infineon Technologies
IDD03SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD04S60CBUMA1
Infineon Technologies
IDD04SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD05SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD09E60BUMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel