casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDM10G120C5XTMA1
codice articolo del costruttore | IDM10G120C5XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDM10G120C5XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDM10G120C5XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 38A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 62µA @ 12V |
Capacità @ Vr, F | 29pF @ 800V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDM10G120C5XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDM10G120C5XTMA1-FT |
MEO450-12DA
IXYS
ME0500-06DA
IXYS
MDO500-22N1
IXYS
MDO500-12N1
IXYS
DSA17-12A
IXYS
DSA17-16A
IXYS
DSA17-18A
IXYS
DSA9-12F
IXYS
DSA9-16F
IXYS
DSA9-18F
IXYS
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation