casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDM05G120C5XTMA1
codice articolo del costruttore | IDM05G120C5XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDM05G120C5XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDM05G120C5XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 33µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 301pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDM05G120C5XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDM05G120C5XTMA1-FT |
MEO550-02DA
IXYS
MEO500-06DA
IXYS
MEO450-12DA
IXYS
ME0500-06DA
IXYS
MDO500-22N1
IXYS
MDO500-12N1
IXYS
DSA17-12A
IXYS
DSA17-16A
IXYS
DSA17-18A
IXYS
DSA9-12F
IXYS
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel