casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDH12SG60CXKSA1
codice articolo del costruttore | IDH12SG60CXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDH12SG60CXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDH12SG60CXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 12A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH12SG60CXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDH12SG60CXKSA1-FT |
BAS1602LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAS3005S02LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS4002LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAS4002S02LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAT5402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
IDD06E60BUMA1
Infineon Technologies
IDD03E60BUMA1
Infineon Technologies
IDD03SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD04S60CBUMA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel