casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDH04SG60CXKSA2
codice articolo del costruttore | IDH04SG60CXKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IDH04SG60CXKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDH04SG60CXKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 4A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH04SG60CXKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDH04SG60CXKSA2-FT |
DSEI36-06AS-TUB
IXYS
DSI30-12AS-TUB
IXYS
DHG30IM600PC
IXYS
DLA20IM800PC
IXYS
DPG60IM300PC
IXYS
DSEI19-06AS
IXYS
DSEI8-06AS
IXYS
DSEP29-06AS
IXYS
DSI30-08AS
IXYS
DSI30-16AS
IXYS
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel