casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDH04G65C5XKSA1
codice articolo del costruttore | IDH04G65C5XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDH04G65C5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDH04G65C5XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 4A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 140µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH04G65C5XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDH04G65C5XKSA1-FT |
DLA40IM800PC
IXYS
DNA30E2200PC
IXYS
DNA30E2200PC-TUB
IXYS
DNA30EM2200PC
IXYS
DNA30EM2200PZ
IXYS
DPG30IM300PC
IXYS
DSEI19-06AS-TUB
IXYS
DSEI8-06AS-TUB
IXYS
DSEP29-06AS-TUB
IXYS
DSEP29-06BS
IXYS
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel