casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDDD20G65C6XTMA1
codice articolo del costruttore | IDDD20G65C6XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDDD20G65C6XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDDD20G65C6XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 51A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 67µA @ 420V |
Capacità @ Vr, F | 970pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-PowerSOP Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HDSOP-10-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDDD20G65C6XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDDD20G65C6XTMA1-FT |
DSA9-12F
IXYS
DSA9-16F
IXYS
DSA9-18F
IXYS
DSAI17-12A
IXYS
DSAI17-16A
IXYS
DSAI17-18A
IXYS
DSI17-12A
IXYS
DSI17-08A
IXYS
DSS40-0008D
IXYS
DSEP60-12AR
IXYS
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel