casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDDD16G65C6XTMA1
codice articolo del costruttore | IDDD16G65C6XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDDD16G65C6XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDDD16G65C6XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 43A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 53µA @ 420V |
Capacità @ Vr, F | 783pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-PowerSOP Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HDSOP-10-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDDD16G65C6XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDDD16G65C6XTMA1-FT |
DSA17-18A
IXYS
DSA9-12F
IXYS
DSA9-16F
IXYS
DSA9-18F
IXYS
DSAI17-12A
IXYS
DSAI17-16A
IXYS
DSAI17-18A
IXYS
DSI17-12A
IXYS
DSI17-08A
IXYS
DSS40-0008D
IXYS
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel