casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDD10SG60CXTMA2
codice articolo del costruttore | IDD10SG60CXTMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IDD10SG60CXTMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDD10SG60CXTMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 290pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDD10SG60CXTMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDD10SG60CXTMA2-FT |
1N5305UR-1
Microsemi Corporation
1N5306-1
Microsemi Corporation
1N5308UR-1
Microsemi Corporation
1N5309UR-1
Microsemi Corporation
1N5310-1
Microsemi Corporation
1N5310UR-1
Microsemi Corporation
1N5311-1
Microsemi Corporation
1N5311UR-1
Microsemi Corporation
1N5312-1
Microsemi Corporation
1N5312UR-1
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.