casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDD09SG60CXTMA2
codice articolo del costruttore | IDD09SG60CXTMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IDD09SG60CXTMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDD09SG60CXTMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 9A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 9A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 80µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 280pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDD09SG60CXTMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDD09SG60CXTMA2-FT |
1N5305-1
Microsemi Corporation
1N5305UR-1
Microsemi Corporation
1N5306-1
Microsemi Corporation
1N5308UR-1
Microsemi Corporation
1N5309UR-1
Microsemi Corporation
1N5310-1
Microsemi Corporation
1N5310UR-1
Microsemi Corporation
1N5311-1
Microsemi Corporation
1N5311UR-1
Microsemi Corporation
1N5312-1
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel