casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDD05SG60CXTMA2
codice articolo del costruttore | IDD05SG60CXTMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IDD05SG60CXTMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDD05SG60CXTMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDD05SG60CXTMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDD05SG60CXTMA2-FT |
1N5303-1
Microsemi Corporation
1N5303UR-1
Microsemi Corporation
1N5304UR-1
Microsemi Corporation
1N5305-1
Microsemi Corporation
1N5305UR-1
Microsemi Corporation
1N5306-1
Microsemi Corporation
1N5308UR-1
Microsemi Corporation
1N5309UR-1
Microsemi Corporation
1N5310-1
Microsemi Corporation
1N5310UR-1
Microsemi Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel