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Infineon Technologies IDB12E120ATMA1

Name: IDB12E120ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDB12E120ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5.0 (377 reviews)

Numero parte MFG: IDB12E120ATMA1

quantità disponibile: 35870 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IDB12E120ATMA1.pdf

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IDB12E120ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IDB12E120ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IDB12E120ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IDB12E120ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente: media rettificata (Io)	28A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.15V @ 12A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IDB12E120ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IDB12E120ATMA1-FT

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