casa / prodotti / Componenti elettronici / Parti a semiconduttore / HY27US0812B
codice articolo del costruttore | HY27US0812B |
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Numero di parte futuro | FT-HY27US0812B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TSOP |
HY27US0812B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
genere | - |
Caratteristiche | - |
Tensione - Alimentazione | - |
Interfaccia dati | - |
Bit RAM totali | - |
Numero di I / O | - |
Capacità | - |
Resistenza | - |
Tolleranza | - |
Tipo di montaggio | SMD or Through Hole |
temperatura di esercizio | Contact us |
Pacchetto / caso | Original |
Dimensione / Dimensione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HY27US0812B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HY27US0812B-FT |
HM62W8512LTT-5SL
Original
HM62W8512LTT-7
Original
HM62W8512LTT-7SL
Original
HM62W8512LTT-8SL
Original
HM62W8512LTTI-5SL
Original
HM62W8512LTTI-7SL
Original
HM62W8512LTTI-8SL
Original
HN29V1G91T-3T4
Original
HN29W640AH05TE1
Original
HN2W16255CLTT10A
Original
A1020B-1PQG100C
Microsemi Corporation
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-VFG256I
Microsemi Corporation
10CL016YU484C8G
Intel
5SGSMD6K2F40C3N
Intel
EP2AGZ300HF40I3N
Intel
10AX115R4F40I3LG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel