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codice articolo del costruttore | HX3124501Q |
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Numero di parte futuro | FT-HX3124501Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SaRonix-eCera™ HX |
HX3124501Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | XO (Standard) |
Funzione | 24.545452MHz |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | LVCMOS |
Stabilità di frequenza | 2.8V |
Absolute Pull Range (APR) | ±25ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -40°C ~ 105°C |
Giudizi | 20mA |
Tipo di montaggio | AEC-Q200 |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
0.045" (1.15mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HX3124501Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HX3124501Q-FT |
FD4800048
Diodes Incorporated
FD5000032
Diodes Incorporated
FD5000033
Diodes Incorporated
FD5000034
Diodes Incorporated
FD5000037
Diodes Incorporated
FD5000040
Diodes Incorporated
FD5400017
Diodes Incorporated
FD6250012
Diodes Incorporated
FD6600016
Diodes Incorporated
FD6660017
Diodes Incorporated
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
EP3C40U484C6
Intel
EP2AGZ300HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100
Microsemi Corporation
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3LG
Intel
EP2SGX30CF780C3N
Intel
EP4SGX230FF35I4N
Intel