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codice articolo del costruttore | HVR10D5M0K |
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Numero di parte futuro | FT-HVR10D5M0K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HVR, CGS |
HVR10D5M0K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5 MOhms |
Tolleranza | ±10% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Caratteristiche | High Voltage, RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Aluminum |
Caratteristica di montaggio | Brackets (not included) |
Dimensione / Dimensione | 0.394" Dia x 2.756" L (10.00mm x 70.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Stile di piombo | Solder Lugs |
Pacchetto / caso | Radial, Tubular |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HVR10D5M0K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HVR10D5M0K-FT |
805F1R5E
Ohmite
805F200E
Ohmite
805F20KE
Ohmite
805F20RE
Ohmite
805F25KE
Ohmite
805F2K0E
Ohmite
805F300E
Ohmite
805F30RE
Ohmite
805F3K0E
Ohmite
805F3K5E
Ohmite
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC3S50-4PQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG484
Microsemi Corporation
10M04SAE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel