casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / HVCB2512BDE100M
codice articolo del costruttore | HVCB2512BDE100M |
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Numero di parte futuro | FT-HVCB2512BDE100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HVC |
HVCB2512BDE100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 (6432 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2512 |
Dimensione / Dimensione | 0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.030" (0.76mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HVCB2512BDE100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HVCB2512BDE100M-FT |
RVC2512FT1M00
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT422K
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT511R
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT51R1
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT562K
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT59K0
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT75R0
Stackpole Electronics Inc
RVC2512JT100R
Stackpole Electronics Inc
RVC2512JT150K
Stackpole Electronics Inc
RVC2512JT15R0
Stackpole Electronics Inc
EX128-TQG100I
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCVU3P-L2FFVC1517E
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6
Intel
5SGXEA7H3F35C2L
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation