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codice articolo del costruttore | HVAM20FBC100M |
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Numero di parte futuro | FT-HVAM20FBC100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HVAM |
HVAM20FBC100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.180" Dia x 1.500" L (4.57mm x 38.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HVAM20FBC100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HVAM20FBC100M-FT |
MR3JT50L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT51L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT75L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT80L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT82L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JTR200
Stackpole Electronics Inc
MR5JMR100
Stackpole Electronics Inc
VM10JB10R0
Stackpole Electronics Inc
VM10JB13R0
Stackpole Electronics Inc
VM10JB220R
Stackpole Electronics Inc
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel