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codice articolo del costruttore | HVAM100FBC100M |
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Numero di parte futuro | FT-HVAM100FBC100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HVAM |
HVAM100FBC100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.310" Dia x 5.000" L (7.87mm x 127.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HVAM100FBC100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HVAM100FBC100M-FT |
MR3JT25L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT30L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT50L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT51L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT75L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT80L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JT82L0
Stackpole Electronics Inc
MR3JTR200
Stackpole Electronics Inc
MR5JMR100
Stackpole Electronics Inc
VM10JB10R0
Stackpole Electronics Inc
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel