casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75332S3ST
codice articolo del costruttore | HUF75332S3ST |
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Numero di parte futuro | FT-HUF75332S3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75332S3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 145W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75332S3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75332S3ST-FT |
FQB13N10TM
ON Semiconductor
FQB13N50CTM
ON Semiconductor
FQB14N15TM
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FQB14N30TM
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FQB15P12TM
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FQB16N25TM
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FQB17N08LTM
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FQB17N08TM
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
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EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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