casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75329P3
codice articolo del costruttore | HUF75329P3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HUF75329P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75329P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 49A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 128W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75329P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75329P3-FT |
FQP10N20CTSTU
ON Semiconductor
FQP10N60C
ON Semiconductor
FQP11N40
ON Semiconductor
FQP11N50CF
ON Semiconductor
FQP12N60
ON Semiconductor
FQP13N06
ON Semiconductor
FQP14N15
ON Semiconductor
FQP15P12
ON Semiconductor
FQP16N15
ON Semiconductor
FQP16N25C
ON Semiconductor
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel