casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75307T3ST
codice articolo del costruttore | HUF75307T3ST |
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Numero di parte futuro | FT-HUF75307T3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HUF75307T3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75307T3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75307T3ST-FT |
ZXMN6A07ZTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
DMN30H14DLY-13
Diodes Incorporated
ZVN4424ZTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A08E6TA
Diodes Incorporated
ZXM62P03E6TA
Diodes Incorporated
DMN3033LDM-7
Diodes Incorporated
DMP3098LDM-7
Diodes Incorporated
ZXMP6A17E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08E6TA
Diodes Incorporated
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel