casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75307D3ST
codice articolo del costruttore | HUF75307D3ST |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HUF75307D3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75307D3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75307D3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75307D3ST-FT |
FQD2P40TF_F080
ON Semiconductor
FQD30N06LTF
ON Semiconductor
FQD30N06LTM
ON Semiconductor
FQD30N06TF
ON Semiconductor
FQD30N06TF_F080
ON Semiconductor
FQD3N30TF
ON Semiconductor
FQD3N30TM
ON Semiconductor
FQD3N40TF
ON Semiconductor
FQD3N40TM
ON Semiconductor
FQD3N50CTF
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel