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codice articolo del costruttore | HTB 200-P |
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Numero di parte futuro | FT-HTB 200-P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HTB |
HTB 200-P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Per misurare | AC/DC |
Tipo di sensore | Hall Effect, Open Loop |
Corrente: rilevamento | 200A |
Numero di canali | 1 |
Produzione | Ratiometric, Voltage |
sensibilità | - |
Frequenza | DC ~ 50kHz |
Linearità | ±1% |
Precisione | ±1% |
Tensione - Fornitura | ±12V ~ 15V |
Tempo di risposta | 3µs |
Corrente - Alimentazione (max) | 15mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 80°C |
Polarizzazione | Bidirectional |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Module, Single Pass Through |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HTB 200-P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HTB 200-P-FT |
GHS 12-SME
LEM USA Inc.
GHS 16-SME
LEM USA Inc.
GHS 20-SME
LEM USA Inc.
DHR 100 C5
LEM USA Inc.
DHR 1000 C10
LEM USA Inc.
DHR 1000 C5
LEM USA Inc.
DHR 200 C10
LEM USA Inc.
DHR 200 C5
LEM USA Inc.
DHR 300 C240
LEM USA Inc.
DHR 500 C10
LEM USA Inc.
A1010B-2VQ80C
Microsemi Corporation
XC4005E-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQ100I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8
Intel
EP3C25U256C6N
Intel
10AX115N4F40E3SG
Intel
EP2AGX190FF35I3N
Intel