casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-8207-TR1G
codice articolo del costruttore | HSMS-8207-TR1G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-8207-TR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-8207-TR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 75mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8207-TR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-8207-TR1G-FT |
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
AT40K20-2DQC
Microchip Technology
5AGXBA1D4F27I5N
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX057N2F40I1SG
Intel
5SGSMD4H3F35I3N
Intel