casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-286K-TR1
codice articolo del costruttore | HSMS-286K-TR1 |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-286K-TR1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-286K-TR1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Pair Isolated |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-286K-TR1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-286K-TR1-FT |
MBD701
ON Semiconductor
MBD701G
ON Semiconductor
MPN3404G
ON Semiconductor
MPN3700
ON Semiconductor
MPN3700G
ON Semiconductor
DMV1500SDFD
STMicroelectronics
DMV1500MFD
STMicroelectronics
DMV1500HFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD6
STMicroelectronics
LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel