casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-286K-TR1G
codice articolo del costruttore | HSMS-286K-TR1G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-286K-TR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-286K-TR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Pair Isolated |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-286K-TR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-286K-TR1G-FT |
MBD701G
ON Semiconductor
MPN3404G
ON Semiconductor
MPN3700
ON Semiconductor
MPN3700G
ON Semiconductor
DMV1500SDFD
STMicroelectronics
DMV1500MFD
STMicroelectronics
DMV1500HFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD6
STMicroelectronics
DMV1500L
STMicroelectronics
LFE2-6SE-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
APA150-PQG208A
Microsemi Corporation
A1415A-VQG100C
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-2FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35C4N
Intel