casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-286F-TR2G
codice articolo del costruttore | HSMS-286F-TR2G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-286F-TR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-286F-TR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Pair Common Cathode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-286F-TR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-286F-TR2G-FT |
HSMP-386B-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386C-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386C-TR1
Broadcom Limited
HSMP-386C-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386C-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386E-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386E-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386E-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386F-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386F-TR1
Broadcom Limited
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel