casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-2829-TR1G
codice articolo del costruttore | HSMS-2829-TR1G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2829-TR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2829-TR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - Cross Over |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 15V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2829-TR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2829-TR1G-FT |
BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA 892-02V E6127
Infineon Technologies
BA 892-02V E6327
Infineon Technologies
BA 892-02V E6433
Infineon Technologies
BA89202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
XC2V250-5FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484C
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
5SGXEA3K2F35C2LN
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4N
Intel
EP20K200CB356C7
Intel