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codice articolo del costruttore | HSMS-2827-TR2G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2827-TR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2827-TR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 15V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2827-TR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2827-TR2G-FT |
BAT 68-08S E6327
Infineon Technologies
BAR8802VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6127XTSA1
Infineon Technologies
BAR5002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA 892-02V E6127
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel